Оперативная память. Термины
Activate to Precharge Delay
Activate to Precharge Delay - минимальное количество циклов между командой активации (RAS) и командой подзарядки (Precharge) или закрытия одного и того же банка памяти.
Activate to Precharge Delay - минимальное количество циклов между командой активации (RAS) и командой подзарядки (Precharge) или закрытия одного и того же банка памяти.
CAS Latency
CAS - это количество тактов от момента запроса данных до их считывания с модуля памяти. Одна из важнейших характеристик модуля памяти, определяющая ее быстродействие. Чем меньше значение CL, тем быстрее работает память.
Error Checking and Correction
Error Checking and Correction - алгоритм, позволяющий выявлять и исправлять случайные ошибки, возникающие в процессе передачи данных. Технологию ECC поддерживают некоторые материнские платы для рабочих станций и серверов.
RAS to CAS Delay
RAS to CAS Delay - задержка между сигналами, определяющими адрес строки и адрес столбца.
Row Precharge Delay
Row Precharge Delay - параметр, определяющий время повторной выдачи (период накопления заряда, подзаряд) сигнала RAS, т.е. время, через которое контроллер памяти будет способен снова выдать сигнал инициализации адреса строки.
Буферизованная
Наличие на модуле памяти специальных регистров, которые относительно быстро сохраняют поступившие данные и снижают нагрузку на систему синхронизации, освобождая контроллер памяти. Наличие буфера между контроллером и чипами памяти приводит к образованию дополнительной задержки в один такт при выполнении операций, т.е. более высокая надежность достигается за счет незначительного падения быстродействия.
Ранки
Ранк - это область памяти, созданная несколькими или всеми чипами модуля памяти и имеющая ширину 64 бита. В зависимости от конструкции модуль может содержать один, два или четыре ранка. Современные серверные материнские платы имеют ограничение на суммарное число ранков памяти.
